项目编号：dlmu-fs-******
项目名称：ga2o3器件加工
公示时间：2024年12月10日- 2024年12月13日
******学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
采购预算：48267元
单一来源理由：本次采购的氧化镓器件加工，需要将4吋的氧化镓晶圆切割成8×8mm的方形小片，并在此基础上利用8×8mm的氧化镓小片为衬底制备氧化镓功率器件。器件的加工需要在超高真空下进行，同时需要采用pecvd生长300nm厚sio2并按照版图进行光刻，采用ald生长5nm的tin或tio2薄膜，采用电子束蒸发方法来沉积cu/au或ni/au，而且加工时需要适当的基片加热温度，加工过程需要******学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（苏纳所）的纳米加工平台长期从事半导体材料与器件、工艺相关研究，并且在氧化镓制备中发表多篇高水平论文和申请相关专利多项，具备丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务（特别适合于具有实验性质的器件加工）。因此，苏纳所的加工平台是目前唯一能够满足本次器件加工要求并愿意提供加工服务的单位。拟采用校内单一来源方式采购
论证小组成员：曹菲,宋延兴,张维
******大学招投标与采购中心反映。
联系人：崔迪
联系电话：0411-******
国有资产与实验室管理处
招投标与采购中心
项目名称：ga2o3器件加工
公示时间：2024年12月10日- 2024年12月13日
******学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
采购预算：48267元
| 采购内容：方案一工艺:清洗:标准rca清洗pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理ald:利用ald生长5nm的tin作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺cu/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案二工艺:清洗:标准rca清洗pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理。ald:利用ald生长5nm的tin作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ni/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案三工艺:清洗:标准rca清洗pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理。ald:利用ald生长5nm的tio2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺cu/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案四工艺:清洗:标准rca清洗pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理ald:利用ald生长5nm的tio2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ni/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 第一次测试内容： 选择测试的电极尺寸：425μm，5个电极最中间的那个iv bv（1）结构:cu/cr/au（2）结构:cr/cu/cr/au（3）结构:al2o3/cu/cr/au第二次后续重新退火+电学测试：a.退火： 选择之前三个结构中100℃退火的样品片重新进行氮气气氛下450℃快速热退火。b.电学测试： （1）对cu/cr/au和al2o3/cu/cr/au两种结构中未退火的样品片，选择425μm尺寸的电极进行iv，bv测试。 （2）对cu/cr/au和al2o3/cu/cr/au两个结构中重新进行450℃快速热退火的两个样品，选择425μm尺寸的电极进行iv，bv测试。 |
单一来源理由：本次采购的氧化镓器件加工，需要将4吋的氧化镓晶圆切割成8×8mm的方形小片，并在此基础上利用8×8mm的氧化镓小片为衬底制备氧化镓功率器件。器件的加工需要在超高真空下进行，同时需要采用pecvd生长300nm厚sio2并按照版图进行光刻，采用ald生长5nm的tin或tio2薄膜，采用电子束蒸发方法来沉积cu/au或ni/au，而且加工时需要适当的基片加热温度，加工过程需要******学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（苏纳所）的纳米加工平台长期从事半导体材料与器件、工艺相关研究，并且在氧化镓制备中发表多篇高水平论文和申请相关专利多项，具备丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务（特别适合于具有实验性质的器件加工）。因此，苏纳所的加工平台是目前唯一能够满足本次器件加工要求并愿意提供加工服务的单位。拟采用校内单一来源方式采购
论证小组成员：曹菲,宋延兴,张维
******大学招投标与采购中心反映。
联系人：崔迪
联系电话：0411-******
国有资产与实验室管理处
招投标与采购中心
